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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEP30-12CR
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DSEP30-12CR

更新时间： 2024-10-31 22:22:07
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
1页 23K
描述
HiPerDynFRED with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)

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DSEP30-12CR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：R-PSIP-T2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：4.25
其他特性：FREE WHEELING, SNUBBER DIODE, UL RECOGNIZED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.1 VJESD-30 代码：R-PSIP-T2
JESD-609代码：e1最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.02 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEP30-12CR 数据手册

  
Advanced Technical Information  
DSEP 30-12CR  
HiPerDynFREDTM  
with soft recovery  
IFAV = 30 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 20 ns  
(Electrically Isolated Back Surface)  
ISOPLUS 24
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
Isolated back surface *  
1200  
1200  
DSEP 30-12CR  
A = Anode, C = Cathode  
* Patent pending  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
●
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
Low cathode to tab capacitance (<25pF)  
International standard package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
IFRMS  
IFAVM  
IFRM  
70  
30  
tbd  
A
A
A
TC = 85°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
250  
0.2  
A
●
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 1.3 A; L = 180 µH  
mJ  
●
●
IAR  
VA = 1.25·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
●
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
●
●
●
Ptot  
TC = 25°C  
165  
W
kV  
●
Isolated and UL registered E153432  
VISOL  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
2.5  
10...50/2...10  
6
Applications  
Mounting force with clip  
N/lb.  
g
●
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
Weight  
typical  
●
●
●
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
●
IR  
①
②
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
250  
2
µA  
mA  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
●
●
VF  
IF = 30 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
3.1  
5.0  
V
V
●
RthJC  
RthCH  
0.9  
K/W  
K/W  
Advantages  
with heatsink compound  
0.25  
20  
●
Avalanche voltage rated for reliable  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
operation  
●
Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
●
IRM  
VR = 100 V; IF = 50 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
4.0  
A
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
ISOPLUS 247TM package for clip or  
●
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
spring mounting  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
Dimensions see IXYS CD 2000  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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DSEP30-12CR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STTH3012W STMICROELECTRONICS

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