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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEP30-12AR
DSEP30-12AR PDF预览

DSEP30-12AR

更新时间： 2024-11-01 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP30-12AR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ISOPLUS247, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.25其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, UL REGISTERED
应用：SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.74 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T2JESD-609代码：e1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：165 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向恢复时间：0.04 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEP30-12AR 数据手册

 浏览型号DSEP30-12AR的Datasheet PDF文件第2页 
DSEP 30-12A  
DSEP 30-12AR  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 30 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 40 ns  
TO-247 AD  
Version A  
ISOPLUS 247TM  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
Version AR  
C
A
C
1200  
1200  
1200  
1200  
DSEP 30-12A  
DSEP 30-12AR  
A
TAB  
C (TAB)  
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
IFRMS  
IFAVM  
70  
30  
A
A
rectangular, d = 0.5; TC (Vers. A) = 115°C  
TC (Vers. AR)= 105°C  
Features  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
200  
14  
A
①
International standard package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
Version ..R isolated and  
UL registered E153432  
①
①
①
①
①
①
①
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 11.5 A; L = 180 µH  
mJ  
IAR  
VA = 1.25·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
1.2  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
Ptot  
TC = 25°C; Version A  
Version AR  
165  
135  
W
W
Applications  
Md *  
FC  
mounting torque  
mounting force with clip  
0.8...1.2  
20...120  
Nm  
N
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Antisaturation diode  
VISOL **  
50/60 Hz RMS; IISOL £ 1 mA; leads-to-tab  
2500  
6
V~  
g
①
①
①
Weight  
typical  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
* Version A only; ** Version AR only  
①
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
①
①
①
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
IR  
①
①
TVJ = 25°C;VR = VRRM  
TVJ = 150°C;VR = VRRM  
250  
1
µA  
mA  
VF  
IF = 30 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.78  
2.74  
V
V
Advantages  
RthJC  
Version A  
Version AR  
0.9  
1.1  
K/W  
K/W  
K/W  
①
Avalanche voltage rated for reliable  
RthCH  
trr  
0.25  
40  
operation  
Soft reverse recovery for low  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
①
EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
①
IRM  
VR = 100 V; IF = 50 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
5.5  
11.4  
A
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
① Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
Dimensions see outlines.pdf  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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与DSEP30-12AR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEP30-12B IXYS

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247,
DSEP30-12B LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247,
DSEP30-12CR IXYS

获取价格

 		HiPerDynFRED with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
DSEP30-12CR LITTELFUSE

获取价格

 		HiperDynFRED系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP40-03AS IXYS

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