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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 193K |  |
| 描述 | ||
| HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | MINIBLOC-4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 2.02 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.98 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 600 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 60 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 最大功率耗散： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 650 µA | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 反向测试电压： | 600 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEP2X61-12A | IXYS |
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HiPerFRED-TM Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP2X61-12A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP2X61-12B | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| DSEP2X91-03A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP2X91-03A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP2X91-06A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP2X91-06A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP30-03A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP30-04A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP30-06A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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