是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247AD | 包装说明: | R-PSFM-T2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE | 应用: | HYPERFAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 2.52 V | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 | 最大非重复峰值正向电流: | 250 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 30 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 600 V |
最大反向恢复时间: | 0.03 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DSEI30-12A | IXYS |
类似代替 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEP60-12A | IXYS |
类似代替 |
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEI60-12A | IXYS |
类似代替 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEP30-06BR | IXYS |
获取价格 |
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-06BR | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP30-06CR | IXYS |
获取价格 |
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface) | |
DSEP30-12A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-12A | LITTELFUSE |
获取价格 |
HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP30-12AR | IXYS |
获取价格 |
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-12AR | LITTELFUSE |
获取价格 |
HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP30-12B | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, | |
DSEP30-12B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, | |
DSEP30-12CR | IXYS |
获取价格 |
HiPerDynFRED with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface) |