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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 219K | |
描述 | ||
HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | MINIBLOC-4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 2.2 | 其他特性: | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.72 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 最大非重复峰值正向电流: | 1000 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 90 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 210 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 300 V | 最大反向电流: | 1000 µA |
最大反向恢复时间: | 0.03 µs | 反向测试电压: | 300 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEP2X91-06A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP2X91-06A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP30-03A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-04A | IXYS |
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-06A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-06A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP30-06B | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-06B | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP30-06BR | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP30-06BR | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |