DSEP30-06A

更新时间： 2024-09-28 03:30:39

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描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP30-06A 数据手册

DSEP 30-06A

DSEP 30-06BR DSEP 30-06B

HiPerFRED^TMEpitaxial Diode

with soft recovery

I_FAV= 30 A

V_RRM= 600 V

t_rr

= 30/35 ns

ISOPLUS 247^TM

V_RSM

V_RRM

Type

TO-247 AD

Version A

Version BR

600

DSEP 30-06A

DSEP 30-06B

DSEP 30-06BR

C (TAB)

Isolated

back surface

A = Anode, C = Cathode

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

• International standard package

• Planar passivated chips

• Very short recovery time

• Extremely low switching losses

• Low I_RM-values

• Soft recovery behaviour

• Epoxy meets UL 94V-0

• Version ..R isolated and

UL registered E153432

I_FRMS

I_FAVM

rect., d = 0.5; T_C(Vers. A) = 135°C

T_C(Vers. B) = 125°C; T_C(Vers. BR) = 115°C

I_FSM

E_AS

T_VJ= 45°C; t_p= 10 ms (50 Hz), sine

250

0.2

T_VJ= 25°C; non-repetitive

I_AS= 1.3 A; L = 180 µH

I_AR

V_A= 1.5·V_Rtyp.; f = 10 kHz; repetitive

0.1

T_VJ

T_VJM

T_stg

-55...+175

175

-55...+150

°C

Applications

• Antiparallel diode for high frequency

switching devices

• Antisaturation diode

P_tot

T_C= 25°C

(Vers. BR)

165

135

• Snubber diode

M_d*

F_C

mounting torque

mounting force with clip

0.8...1.2

20...120

• Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

• Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

• Inductive heating

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Ultrasonic cleaners and welders

V_ISOL**

50/60 Hz, RMS, t = 1 minute, leads-to-tab

typical

2500

Weight

* Verson A only; ** Version BR only

Symbol

Conditions

Characteristic max. Values

Vers. A Vers. B

Advantages

I_R

①

②

T_VJ= 25°C V_R= V_RRM

T_VJ= 150°C V_R= V_RRM

250

µA

• Avalanche voltage rated for reliable

operation

• Soft reverse recovery for low

EMI/RFI

V_F

I_F= 30 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.25

1.60

1.56

2.51

• Low I_RMreduces:

- Power dissipation within the diode

- Turn-onlossinthecommutatingswitch

R_thJC

R_thCH

0.9

1.1

0.25

K/W

Version BR

typ.

0.25

t_rrtyp.

I_F= 1 A; -di/dt = 200 A/µs;

V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

Dimensions see Outlines.pdf

I_RMtyp.

V_R= 100 V; I_F= 50 A; -di_F/dt = 100 A/µs

T_VJ= 100°C

Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %

② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %

Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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12 3

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DSEP30-06A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DSEI30-10A	IXYS	类似代替	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI60-06A	IXYS	类似代替	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEP60-06A	IXYS	类似代替	HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

与DSEP30-06A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEP30-06B	IXYS	获取价格	HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP30-06B	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP30-06BR	IXYS	获取价格	HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP30-06BR	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP30-06CR	IXYS	获取价格	HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
DSEP30-12A	IXYS	获取价格	HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP30-12A	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP30-12AR	IXYS	获取价格	HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP30-12AR	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP30-12B	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247,

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