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DSEP2X31-12A

更新时间： 2024-01-31 05:13:56
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Parallel legs

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DSEP2X31-12A 数据手册

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DSEP2x31-12A  
VRRM = 1200 V  
HiPerFRED  
IFAV = 2x  
A
30  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Parallel legs  
trr  
=
40 ns  
Part number  
DSEP2x31-12A  
Backside: isolated  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable operation  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
● Housing: SOT-227B (minibloc)  
●rIndustry standard outline  
●rCu base plate internal DCB isolated  
●rIsolation Voltage 3000 V  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
1200  
250  
1
V
µA  
mA  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
VR = 1200V  
VR = 1200V  
TVJ  
TVJ = 150°C  
TVJ 25°C  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
30A  
60A  
30A  
60A  
=
2.72  
3.24  
1.77  
2.26  
30  
V
T
VJ = 150°C  
V
V
IFAV  
VF0  
rF  
TC  
=
70°C  
A
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
TVJ = 150°C  
1.31  
V
for power loss calculation only  
slope resistance  
15.4 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
1.15 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-40  
150  
100  
200  
°C  
W
A
TC  
=
=
25°C  
45°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
13  
24  
A
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
A
IF = 30 A; VR = 800V  
-diF/dt = 400 A/µs  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
40  
ns  
ns  
pF  
150  
12  
CJ  
VR = 600 V; f = 1 MHz  
TVJ = 25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20110531b  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2011 IXYS all rights reserved  
©
1234

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DSEP2X31-12A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STTH6112TV1 STMICROELECTRONICS

功能相似

 Ultrafast recovery - 1200 V diode
APT2X101DQ120J MICROSEMI

功能相似

 ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
STTH9012TV1 STMICROELECTRONICS

功能相似

 Ultrafast recovery - 1200 V diode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEP2X35-06C IXYS

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 		HIPERFRED-TM EPITAXIAL DIODE WITH SOFT RECOVERY
DSEP2X35-12C ETC

获取价格

 		ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B
DSEP2X60-12A IXYS

获取价格

 		HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP2X60-12A LITTELFUSE

获取价格

 		HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP2X61-03A IXYS

获取价格

 		HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP2X61-03A LITTELFUSE

获取价格

 		HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP2X61-06A IXYS

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 		HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP2X61-06A LITTELFUSE

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