Datasheet > DSEP2X25-12C

DSEP2X25-12C

更新时间： 2024-02-09 10:04:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
HiPerDynFRED Epitaxial Diode with soft recovery

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DSEP2X25-12C 数据手册

DSEP 2x25-12C

HiPerDynFRED^TMEpitaxial Diode

with soft recovery

I_FAV= 2x25 A

V_RRM= 1200 V

t_rr= 30 ns

SOT-227 B,

miniBLOC

V_RSM

V_RRM

Type

1200

DSEP 2x 25-12C

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

• International standard package miniBLOC

• Isolation voltage 2500 V~

• UL registered E 72873

• 2 independent FRED in 1 package

• Planar passivated chips

• Very short recovery time

• Extremely low switching losses

• Low I_RM-values

I_FRMS

I_FAVM

100

T_C= 90°C; rectangular, d = 0.5

I_FSM

E_AS

T_VJ= 45°C; t_p= 10 ms (50 Hz), sine

250

0.2

T_VJ= 25°C; non-repetitive

I_AS= 1.3 A; L = 180 µH

I_AR

V_A= 1.5·V_Rtyp.; f = 10 kHz; repetitive

0.1

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

• Soft recovery behaviour

Applications

P_tot

V_ISOL

M_d

T_C= 25°C

210

• Antiparallel diode for high frequency

switching devices

• Antisaturation diode

50/60 Hz, RMS, I_ISOL≤ 1 mA

2500

mounting torque (M4)

terminal connection torque (M4)

1.1-1.5/9-13

Nm/lb.in.

• Snubber diode

• Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

• Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

• Inductive heating

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Ultrasonic cleaners and welders

Weight

Symbol

typical

Test Conditions

Characteristic Values

typ.

max.

I_R

①

②

V_R= V_RRM; T_VJ= 25°C

T_VJ= 150°C

0.25

2.0

Advantages

V_F

I_F= 25 A;

T_VJ= 125°C

T_VJ= 25°C

3.0

4.7

• Avalanche voltage rated for reliable

operation

• Soft reverse recovery for low EMI/RFI

• Low I_RMreduces:

- Power dissipation within the diode

- Turn-onlossinthecommutatingswitch

R_thJC

R_thCH

0.6

K/W

with heatsink compound

0.1

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 200 A/µs;

V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 50 A;

-di_F/dt = 100 A/µs; T_VJ= 100°C

3.0

4.0

Dimensions see Outlines.pdf

Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0%

② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0%

Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

中文翻译

下载PDF

DSEP2X25-12C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT2X31DQ120J	MICROSEMI	功能相似	ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT2X101DQ120J	MICROSEMI	功能相似	ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
STTH9012TV1	STMICROELECTRONICS	功能相似	Ultrafast recovery - 1200 V diode

与DSEP2X25-12C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEP2X31-03A	IXYS	获取价格	HiPerFRED TM Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP2X31-03A	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP2X31-04B	ETC	获取价格	ARRAY OF INDEPENDENT DIODES\|SOT-227B
DSEP2X31-06A	IXYS	获取价格	High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Parallel legs
DSEP2X31-06A	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP2X31-06B	IXYS	获取价格	HiPerFRED
DSEP2X31-06B	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP2X31-12A	IXYS	获取价格	High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Parallel legs
DSEP2X31-12A	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP2X35-06C	IXYS	获取价格	HIPERFRED-TM EPITAXIAL DIODE WITH SOFT RECOVERY

与DSEP2X25-12C相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

2
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

2
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

2
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DSEP2X25-12C

DSEP2X25-12C 数据手册

DSEP2X25-12C 替代型号

与DSEP2X25-12C相关器件

与DSEP2X25-12C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DSEP2X25-12C

DSEP2X25-12C 数据手册

DSEP2X25-12C 替代型号

与DSEP2X25-12C相关器件

与DSEP2X25-12C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？