是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 3.25 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 35 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 165 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向电流: | 250 µA |
最大反向恢复时间: | 0.02 µs | 反向测试电压: | 1200 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEP2X60-12A | IXYS |
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |
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DSEP2X60-12A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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DSEP2X61-03A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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DSEP2X61-03A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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DSEP2X61-06A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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DSEP2X61-06A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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DSEP2X61-12A | IXYS |
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HiPerFRED-TM Epitaxial Diode with soft recovery |
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DSEP2X61-12A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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DSEP2X61-12B | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon, |
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DSEP2X91-03A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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