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DSEP2X35-12C

更新时间: 2024-02-28 17:03:26
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1页 82K
描述
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B

DSEP2X35-12C 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Transferred
包装说明:R-PUFM-X4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
Is Samacsys:N应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):3.25 VJESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:2相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:165 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V最大反向电流:250 µA
最大反向恢复时间:0.02 µs反向测试电压:1200 V
子类别:Other Diodes表面贴装:NO
端子面层:Nickel (Ni)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

DSEP2X35-12C 数据手册

  

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