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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEP29-06B
DSEP29-06B PDF预览

DSEP29-06B

更新时间： 2024-11-01 22:22:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP29-06B 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.67Is Samacsys：N
其他特性：SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.58 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：165 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEP29-06B 数据手册

 浏览型号DSEP29-06B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DSEP29-06B的Datasheet PDF文件第3页 
DSEP 29-06A DSEP 29-06AS  
DSEP 29-06B  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 30 A  
VRRM = 600 V  
trr  
= 30/35 ns  
TO-220 AC  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C
A
C (TAB)  
C (TAB)  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
DSEP 29-06A  
DSEP 29-06AS  
DSEP 29-06B  
TO-263  
A
A
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
International standard package  
• Planar passivated chips  
• Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
IFRMS  
IFAVM  
35  
30  
30  
A
A
A
rect., d = 0.5; TC (Version A, AS)= 135°C  
TC (Version B) = 125°C  
l
IFSM  
EAS  
IAR  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine; (Version A, AS) 250  
A
A
(Version B)  
200  
• Soft recovery behaviour  
• Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 1.3 A; L = 180 µH  
0.2  
mJ  
Applications  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
• Antisaturation diode  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
• Snubber diode  
Ptot  
TC = 25°C  
165  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Md  
mounting torque (Version A, B)  
typical  
Weight  
• Inductive heating  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Symbol  
Conditions  
Characteristic max. Values  
Version A  
Version B  
Advantages  
IR  
①
②
TVJ = 25°C;VR = VRRM  
TVJ = 150°C;VR = VRRM  
250  
1
250  
µA  
mA  
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
• Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
2
VF  
IF = 30 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.26  
1.61  
1.58  
2.52  
V
V
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-onlossinthecommutatingswitch  
RthJC  
RthCH  
0.9  
0.5  
0.9  
0.5  
K/W  
K/W  
typ.  
trr typ.  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
35  
30  
ns  
IRM typ.  
VR = 100 V; IF = 50 A;  
6
4
A
Dimensions see Outlines.pdf  
-diF/dt = 100 A/µs; TVJ = 100°C  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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DSEP29-06B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MBR10100G ONSEMI

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 		HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP29-12B IXYS

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220, 2
DSEP29-12B LITTELFUSE

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