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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEI20-12A
DSEI20-12A PDF预览

DSEI20-12A

更新时间： 2024-11-18 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode

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DSEI20-12A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.27Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.15 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：130 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：17 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：78 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：750 µA
最大反向恢复时间：0.04 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEI20-12A 数据手册

 浏览型号DSEI20-12A的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 20-12A  
IFAVM  
VRRM = 1200 V  
trr = 40 ns  
=
17 A  
Fast Recovery Epitaxial Diode  
(FRED)  
C
A
VRSM  
VRRM  
Type  
1200V 1200V DSEI 20-12A  
TO-220 AC  
Symbol  
IFRMS  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TVJ = TVJM  
70  
17  
A
A
A
C
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 85°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
220  
C
A
IFSM  
TVJ  
TVJ = 150°C  
TVJ 45°C  
TVJ = 150°C  
=
45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
130  
140  
A
A
A = Anode  
C = Cathode  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
110  
120  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
∫i2dt  
=
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
85  
80  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
60  
60  
Features  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
●
Low IRM-values  
●
●
●
●
●
●
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meet UL 94V-0.  
Extremely low switching losses  
International standard package  
JEDEC TO-220 AC  
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
78  
W
Mounting torque with screw M3  
Mounting torque with screw M3.5  
0.45/4 Nm/lb.in.  
0.55/5 Nm/lb.in.  
Weight  
2
g
Applications  
●
Snubber diode  
Anti saturation diode  
Inductive heating and melting  
Free wheeling diode in converters  
●
Symbol  
IR  
TestConditions  
Characteristic Values  
●
Typ.  
Max.  
●
VR = VRRM  
VR = 0.8 VRRM  
VR = 0.8 VRRM  
TVJ  
TVJ  
=
=
25°C  
25°C  
750  
250  
7
µA  
µA  
mA  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
●
TVJ = 125°C  
●
VF  
IF = 12 A  
TVJ = 150°C  
TVJ  
1.87  
2.15  
V
V
= 25°C  
●
●
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.65  
V
18.2 mΩ  
Advantages  
RthJC  
RthCK  
RthJA  
1.6 K/W  
K/W  
60 K/W  
●
Low losses  
Low noise switching  
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
0.5  
●
●
●
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/µs; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
VR = 540 V; IF = 20 A; -diF/dt = 100 A/µs  
40  
7
60  
ns  
A
protection circuits  
Operating at lower temperature or  
IRM  
●
L
≤ 0.05 µH  
TVJ = 100°C  
space saving by reduced cooling  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to DIN/IEC 747  
96501 (7/96)  
©1996 IXYS Corporation. All rights reserved.  
IXYS Semiconductor GmbH  
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany  
Phone: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503627  
IXYS Corporation  
3540 Bassett Street, Santa Clara, CA 95054  
Phone: (408) 982-0700 Fax: 408-496-0670  
12

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DSEI20-12A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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