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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEI2X101-12P
DSEI2X101-12P PDF预览

DSEI2X101-12P

更新时间： 2024-11-04 22:22:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI2X101-12P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：R-XUFM-X12针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.35
Is Samacsys：N其他特性：SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE, LOW NOISE
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X12
最大非重复峰值正向电流：900 A元件数量：2
相数：1端子数量：12
最大输出电流：91 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.04 µs
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEI2X101-12P 数据手册

 浏览型号DSEI2X101-12P的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 2x101 IFAVM = 2x91 A  
VRRM = 1200 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 40 ns  
AC-1  
IK-10  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
1200  
1200  
DSEI 2x 101-12P  
LN-9  
VX-18  
D5  
Symbol  
IFRMS  
Conditions  
Maximum Ratings (per diode)  
Features  
• 2 independent FRED in 1 package  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Leads suitable for PC board soldering  
• Very short recovery time  
TVJ = TVJM  
130  
91  
tbd  
A
A
A
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 50°C; rectangular; d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating; pulse width limited by TVJM  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
900  
A
• Soft recovery behaviour  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Ptot  
TC = 25°C  
250  
W
• Anti saturation diode  
• Snubber diode  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
• Inductive heating and melting  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Md  
Mounting torque (M4)  
1.5 - 2.0  
14 - 18  
Nm  
lb.in.  
Weight  
Symbol  
24  
g
Conditions  
Characteristic Values (per diode)  
typ.  
max.  
Advantages  
IR  
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 25°C VR = 0.8 • VRRM  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
3.0  
1.5  
15  
mA  
mA  
mA  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
VF  
IF = 100 A; TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.61  
1.87  
V
V
• Low noise switching  
• Small and light weight  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.01  
6.1  
V
mΩ  
RthJC  
RthCK  
0.5  
60  
30  
K/W  
K/W  
0.05  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 400 A/µs  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
40  
ns  
IRM  
VR = 100 V; IF = 75 A; -diF/dt = 200 A/µs  
24  
A
L ≤ 0.05 µH; TVJ = 100°C  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creeping distance in air  
Allowable acceleration  
min. 11.2  
min. 11.2  
max. 50  
mm  
mm  
m/s²  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2001 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
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