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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PUFM-D4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 2 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向电流： | 250 µA | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 反向测试电压： | 640 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X30-10B | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X30-10B | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X30-10P | IXYS |
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暂无描述 |
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| DSEI2X30-12B | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X30-12B | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X30-12P | IXYS |
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暂无描述 |
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| DSEI2X31 | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X31-04C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 |
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| DSEI2X31-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X31-05C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 500V V(RRM), Silicon, |
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