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| 力特 - LITTELFUSE |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 292K |  |
| 描述 | ||
| 快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复能力。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-XUFM-X12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1200 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 最大输出电流： | 128 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 最大反向恢复时间： | 0.04 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X30 | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X30-04C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 |
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| DSEI2X30-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X30-05C | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X30-06B | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X30-06C | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X30-06C | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X30-06P | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 |
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| DSEI2X30-08B | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 800V V(RRM), Silicon, |
|
| DSEI2X30-10B | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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