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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 537K | |
描述 | ||
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI2X30-10P | IXYS |
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暂无描述 | |
DSEI2X30-12B | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X30-12B | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X30-12P | IXYS |
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暂无描述 | |
DSEI2X31 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X31-04C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 | |
DSEI2X31-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X31-05C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 500V V(RRM), Silicon, | |
DSEI2X31-06B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B | |
DSEI2X31-06C | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |