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DSEI2X31-06B

更新时间： 2024-01-13 08:08:55

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2页	121K
描述
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES\|SOT-227B

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DSEI2X31-06B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-T8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE, LOW NOISE
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.4 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-T8	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	100 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	7000 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	反向测试电压：	480 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEI2X31-06C	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X31-06C	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X31-08B	ETC	获取价格	ARRAY OF INDEPENDENT DIODES\|SOT-227B
DSEI2X31-10B	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X31-10B	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X31-10P	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X31-12B	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X31-12B	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X31-12P	IXYS	获取价格	暂无描述
DSEI2X60-04C	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。