是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-XUFM-X8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 2 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X8 |
最大非重复峰值正向电流: | 200 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 30 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 100 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向电流: | 7000 µA | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
反向测试电压: | 800 V | 子类别: | Other Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI2X31-12B | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X31-12B | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X31-12P | IXYS |
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暂无描述 | |
DSEI2X60-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X61-02A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X61-02A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61-05C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon, | |
DSEI2X61-06B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |