5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PUFM-D4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 | 最大非重复峰值正向电流： | 550 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 60 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散： | 180 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 500 V |
| 最大反向电流： | 500 µA | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 反向测试电压： | 400 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X61-06B | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
|
| DSEI2X61-06C | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X61-06C | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI2X61-06P | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 |
|
| DSEI2X61-06P | LITTELFUSE |
获取价格 |
快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 |
|
| DSEI2X61-08B | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
|
| DSEI2X61-10B | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI2X61-10P | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X61-12 | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X61-12B | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
