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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEI2X61-12B
DSEI2X61-12B PDF预览

DSEI2X61-12B

更新时间： 2024-11-18 12:52:07
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IXYS 整流二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI2X61-12B 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：R-PUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：4
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.15 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4最大非重复峰值正向电流：450 A
元件数量：2相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：52 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：180 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.04 µs
子类别：Other Diodes表面贴装：NO
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEI2X61-12B 数据手册

 浏览型号DSEI2X61-12B的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 2x 61 IFAVM = 2x 52 A  
VRRM = 1200 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 40 ns  
miniBLOC, SOT-227 B  
E72873  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
1200  
1200  
DSEI 2x 61-12B  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings (per diode)  
TVJ = TVJM  
100  
52  
A
A
A
Features  
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 50°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
①
700  
International standard package  
miniBLOC (ISOTOP compatible)  
Isolation voltage 2500 V~  
2 independent FRED in 1 package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
450  
500  
A
A
①
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
400  
440  
A
A
①
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1000  
1050  
A2s  
A2s  
①
①
①
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
800  
810  
A2s  
A2s  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Anti saturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
Ptot  
TC = 25°C  
180  
W
①
①
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL £ 1 mA  
2500  
V~  
①
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
Md  
Mounting torque  
Terminal connection torque (M4)  
1.5/13  
1.5/13  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
①
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Weight  
Symbol  
30  
g
①
①
Test Conditions  
Characteristic Values (per diode)  
①
typ.  
max.  
IR  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
2.2  
0.5  
14  
mA  
mA  
mA  
Advantages  
①
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
VF  
IF = 60 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
2.15  
2.50  
V
V
①
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
①
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.65  
8.3  
V
mW  
①
①
RthJC  
RthCK  
0.7  
0.05  
K/W  
K/W  
space saving by reduced cooling  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
40  
32  
60  
36  
ns  
A
IRM  
VR = 540 V; IF = 60 A; -diF/dt = 480 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI2X61-12P IXYS

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