DSEI36-06

更新时间： 2024-11-17 22:22:07

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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI36-06 数据手册

DSEI 36 V_RRM= 600 V

I_FAVM= 37 A

Fast Recovery

Epitaxial Diode (FRED)

t_rr

= 35 ns

TO-263 AA

V_RSM

V_RRM

Type

600

DSEI 36-06AS

C (TAB)

A =Anode, C = Cathode,

NC = No connection, TAB = Cathode

Symbol

I_FRMS

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

International standard surface mount

①

T_VJ= T_VJM

375

package JEDEC TO-263 AA

I_FAVM

I_FRM

①

T_C= 85°C; rectangular, d = 0.5

t_P< 10 ms; rep. rating, pulse width limited by T_VJM

①

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I -values

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

300

320

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

Soft r^Re^Mcovery behaviour

Epoxy meets UL 94V-0

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

260

280

①

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

450

420

A²s

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

340

320

A²s

TO-263 AA Outline

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

P_tot

T_C= 25°C

125

Weight

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

max.

typ.

T_VJ= 25°C

V_R= V_RRM

V_R= 0.8 • V_RRM

100

T_VJ= 125°C V_R= 0.8 • V_RRM

V_F

I_F= 37 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.4

1.6

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

Min.

Max.

4.06

2.03

4.83

2.79

.160

.080

.190

.110

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

1.01

7.1

0.51

1.14

0.99

1.40

.020

.045

.039

.055

R_thJC

t_rr

1.0

K/W

0.46

1.14

0.74

1.40

.018

.045

.029

.055

I_F= 1 A; -di/dt = 100 A/ms; V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

8.64

7.11

9.65

8.13

.340

.280

.380

.320

I_RM

V_R= 350 V; I_F= 30 A; -di_F/dt = 240 A/ms

L £ 0.05 mH; T_VJ= 100°C

9.65

6.86

2.54

10.29

8.13

BSC

.380

.270

.100 BSC

.405

.320

14.61

2.29

1.02

1.27

15.88

2.79

1.40

1.78

0.38

.575

.090

.040

.050

.625

.110

.055

.070

.015

Characteristic curves are located in the data sheet DSEI 30-06A.

0.46

0.74

.018

.029

① I_FAVMrating includes reverse blocking losses at T_VJM, V_R= 0.8 V_RRM, duty cycle d = 0.5

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEI36-06AS	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI36-06AS	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI3-80.000MHZ	MMD	获取价格	Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI3-80.000MHZ-3	MMD	获取价格	Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
DSEI60	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI60-02A	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI60-02A	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 69A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247AD, 2 PIN
DSEI60-04A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 400V V(RRM), Silicon,
DSEI60-05A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon,
DSEI60-06	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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