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Datasheet > 暂无类别数据> DSEI2X31-12P
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DSEI2X31-12P

更新时间： 2024-11-05 13:01:55
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IXYS 整流二极管局域网快速恢复二极管
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DSEI2X31-12P 数据手册

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DSEI 2x30 IFAVM = 2x30 A  
DSEI 2x31 VRRM = 600 V  
trr = 35 ns  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
600  
600  
600  
600  
DSEI 2x 30-06P  
DSEI 2x 31-06P  
2x 30  
2x31  
D5  
Symbol  
IFRMS  
Conditions  
Maximum Ratings (per diode)  
Features  
• 2 independent FRED in 1 package  
• Isolation voltage 3000 V~  
• Planar passivated chips  
• Leads suitable for PC board soldering  
• Very short recovery time  
TVJ = TVJM  
70  
30  
375  
A
A
A
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 85°C; rectangular; d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating; pulse width limited by TVJM  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
300  
A
• Soft recovery behaviour  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Ptot  
TC = 25°C  
100  
W
• Anti saturation diode  
• Snubber diode  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
2500  
3000  
V~  
V~  
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
• Inductive heating and melting  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Md  
Mounting torque (M4)  
1.5 - 2.0  
14 - 18  
Nm  
lb.in.  
Weight  
Symbol  
18  
g
Conditions  
Characteristic Values (per diode)  
typ.  
max.  
Advantages  
IR  
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 25°C VR = 0.8 • VRRM  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
100  
50  
7
µA  
µA  
mA  
• Easy to mount with two screws  
• Space and weight savings  
• Improved temperature and power  
cycling capability  
VF  
IF = 30 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.4  
1.6  
V
V
• Low noise switching  
• Small and light weight  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.01  
7.1  
V
mΩ  
RthJC  
RthCK  
1.25  
K/W  
K/W  
0.05  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/µs  
35  
50  
ns  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
IRM  
VR = 350 V; IF = 30 A; -diF/dt = 240 A/µs  
10  
11  
A
L ≤ 0.05 µH; TVJ = 100°C  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creeping distance in air  
Allowable acceleration  
min. 11.2  
min. 11.2  
max. 50  
mm  
mm  
m/s²  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2001 IXYS All rights reserved  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI2X60-04C LITTELFUSE

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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X61 IXYS

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DSEI2X61-02A IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X61-06P IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8

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