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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 566K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 2.02 | 其他特性： | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.08 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 最大非重复峰值正向电流： | 950 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 71 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向电流： | 50 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs | 反向测试电压： | 200 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X61-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-05C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon, |
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| DSEI2X61-06B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X61-06C | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-06C | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-06P | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 |
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| DSEI2X61-06P | LITTELFUSE |
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快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 |
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| DSEI2X61-08B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X61-10B | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-10P | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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