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DSEI2X61

更新时间： 2024-02-15 14:00:43

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IXYS		二极管
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI2X61 数据手册

DSEI 2x 61 I_FAVM= 2x 71 A

V_RRM= 200 V

Fast Recovery

Epitaxial Diode (FRED)

t_rr

= 35 ns

miniBLOC, SOT-227 B

E72873

V_RSM

V_RRM

Type

200

DSEI 2x 61-02A

Symbol

I_FRMS

Test Conditions

Maximum Ratings (per diode)

T_VJ= T_VJM

100

Features

I_FAVM

I_FRM

①

T_C= 85°C; rectangular, d = 0.5

t_P< 10 ms; rep. rating, pulse width limited by T_VJM

①

800

International standard package

miniBLOC (ISOTOP compatible)

Isolation voltage 2500 V~

2 independent FRED in 1 package

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

Soft recovery behaviour

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

950

1020

①

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

800

870

①

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

4500

4300

A²s

①

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

3200

3140

A²s

Applications

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

①

Antiparallel diode for high frequency

switching devices

Anti saturation diode

Snubber diode

Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Inductive heating and melting

P_tot

V_ISOL

M_d

T_C= 25°C

150

①

50/60 Hz, RMS I_ISOL£ 1 mA

2500

①

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

1.1-1.5/9-13

Nm/lb.in.

①

Weight

①

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

①

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values (per diode)

typ.

max.

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C V_R= 0.8 • V_RRM

V_R= V_RRM

V_R= 0.8 • V_RRM

µA

Advantages

①

High reliability circuit operation

Low voltage peaks for reduced

protection circuits

Low noise switching

Low losses

Operating at lower temperature or

①

V_F

I_F= 60 A;

T_VJ=150°C

T_VJ= 25°C

0.88

1.08

①

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.7

3.0

①

space saving by reduced cooling

R_thJC

R_thCK

0.8

K/W

0.05

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 200 A/µs; V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 60 A; -di_F/dt = 200 A/µs

L £ 0.05 mH; T_VJ= 100°C

① I_FAVMrating includes reverse blocking losses at T_VJM, V_R= 0.8 V_RRM, duty cycle d = 0.5

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DSEI2X61-04C	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X61-05C	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon,
DSEI2X61-06B	ETC	获取价格	ARRAY OF INDEPENDENT DIODES\|SOT-227B
DSEI2X61-06C	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X61-06C	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X61-06P	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8
DSEI2X61-06P	LITTELFUSE	获取价格	快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用FRED芯片实现快速反向恢复
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