是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 4 |
其他特性: | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.08 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
最大非重复峰值正向电流: | 950 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 71 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 150 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 50 µA | 最大反向恢复时间: | 0.035 µs |
反向测试电压: | 200 V | 子类别: | Other Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI2X61-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61-05C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon, | |
DSEI2X61-06B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B | |
DSEI2X61-06C | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X61-06C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61-06P | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 | |
DSEI2X61-06P | LITTELFUSE |
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快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 | |
DSEI2X61-08B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B | |
DSEI2X61-10B | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61-10P | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |