是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-XUFM-X12 | 针数: | 12 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 8.38 |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-XUFM-X12 |
最大非重复峰值正向电流: | 1200 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 12 |
最大输出电流: | 147 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向恢复时间: | 0.035 µs |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI2X161-12P | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X161-12P | LITTELFUSE |
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快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 | |
DSEI2X30 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X30-04C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 | |
DSEI2X30-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X30-05C | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B | |
DSEI2X30-06B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B | |
DSEI2X30-06C | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X30-06C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X30-06P | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 |