是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PUFM-X4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 3.45 |
Is Samacsys: | N | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.16 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 1200 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 96 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
最大功率耗散: | 250 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向电流: | 3000 µA |
最大反向恢复时间: | 0.035 µs | 反向测试电压: | 600 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STTH200L06TV1 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER | |
APT2X31DQ60J | MICROSEMI |
功能相似 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE | |
APT2X101DQ60J | MICROSEMI |
功能相似 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI2X101-06P | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 96A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-12 | |
DSEI2X101-06P | LITTELFUSE |
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快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 | |
DSEI2X101-12 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X101-12A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X101-12A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X101-12P | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X101-12P | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 91A, 1200V V(RRM), Silicon, ECOPAC-12 | |
DSEI2X121 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X121-02A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X121-02A | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |