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DSEP12-12AZ

更新时间： 2024-11-18 13:07:27
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IXYS 整流二极管PC局域网
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DSEP12-12AZ 数据手册

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DSEP 12-12A  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 15 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 40 ns  
TO-220 AC  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C
A
1200  
1200  
DSEP 12-12A  
C (TAB)  
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
IFRMS  
IFAVM  
35  
15  
A
A
TC = 125°C; rectangular, d = 0.5  
Features  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
90  
A
●
International standard package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 9 A; L = 180 µH  
8.7  
mJ  
●
●
●
IAR  
VA = 1.25·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.9  
A
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
●
●
Ptot  
TC = 25°C  
mounting torque  
typical  
95  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
Applications  
Md  
●
Weight  
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
●
●
●
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
●
IR  
●
●
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
100  
0.5  
mA  
mA  
●
●
VF  
IF = 15 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.79  
2.75  
V
V
●
RthJC  
RthCH  
1.6  
K/W  
K/W  
0.5  
40  
Advantages  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/ms;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
●
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
IRM  
VR = 100 V; IF = 25 A; -diF/dt = 100 A/ms  
TVJ = 100°C  
4.5  
A
●
●
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Pulse test: ● Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
● Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
Dimensions see outlines.pdf  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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与DSEP12-12AZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEP12-12AZ-TUB LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode,
DSEP12-12B IXYS

获取价格

 		HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP12-12B LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP12-12BZ LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D
DSEP12-12BZ-TRL LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode,
DSEP130-06A IXYS

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 		HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP15-03A IXYS

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 15A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-22
DSEP15-03A LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 15A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-22
DSEP15-06A IXYS

获取价格

 		High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode
DSEP15-06A LITTELFUSE

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 		HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。

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