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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEP15-06B
DSEP15-06B PDF预览

DSEP15-06B

更新时间： 2024-01-26 18:44:04
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网软恢复二极管超快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 341K
描述
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP15-06B 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.99 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：110 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：95 W
参考标准：IEC-60747最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：100 µA最大反向恢复时间：0.025 µs
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

DSEP15-06B 数据手册

  
DSEP 15-06B  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
IFAV = 15 A  
VRRM = 600 V  
trr = 25 ns  
with soft recovery  
Preliminary data  
TO-220 AC  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C
A
600  
600  
DSEP 15-06B  
C (TAB)  
D4  
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
IFRMS  
IFAVM  
35  
15  
A
A
TC = 130°C; rectangular, d = 0.5  
Features  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
110  
A
G
International standard package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 25°C; non-repetitive; IAS = 1 A;  
L = 100 µH  
L = 20 mH  
G
0.1  
20  
mJ  
mJ  
G
G
G
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
G
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
G
Applications  
Ptot  
TC = 25°C  
mounting torque  
typical  
95  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
Md  
G
Antiparallel diode for high frequency  
Weight  
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
G
G
G
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
G
typ.  
max.  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
IR  
x
y
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
100  
0.5  
µA  
G
mA  
G
G
VF  
IF = 15 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.55  
2.52  
V
V
RthJC  
RthCH  
1.6  
K/W  
K/W  
Advantages  
0.5  
25  
G
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/µs;  
30  
ns  
Avalanche voltage rated for reliable  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
operation  
G
Soft reverse recovery for low  
IRM  
VR = 100 V; IF = 25 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
2.6  
A
EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
G
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Pulse test: x Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
y Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Dimensions see pages D4 - 85-86  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2001 IXYS All rights reserved  
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DSEP15-06B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DSEP15-06A IXYS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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