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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 153K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 95 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 62 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向电流： | 50 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI1X31-06C | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 |
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| DSEI20 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI20-12A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode |
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| DSEI20-12A | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 17A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220AC, 2 PIN |
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| DSEI25-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI25-06AS | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X101 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X101-02A | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X101-06A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X101-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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