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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEI12-10A
DSEI12-10A PDF预览

DSEI12-10A

更新时间： 2024-11-20 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI12-10A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AC
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：3.8
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.1 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：78 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.06 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEI12-10A 数据手册

 浏览型号DSEI12-10A的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 12 IFAVM = 12 A  
VRRM = 1000 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 50 ns  
TO-220 AC  
C
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
C
1000  
1000  
DSEI 12-10A  
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
①
International standard package  
TVJ = TVJM  
25  
12  
150  
A
A
A
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 100°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
JEDEC TO-220 AC  
①
①
①
①
①
①
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
75  
80  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
65  
70  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
28  
27  
A2s  
A2s  
Applications  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
21  
20  
A2s  
A2s  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Anti saturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
78  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
①
Mounting torque  
Weight  
Symbol  
IR  
①
①
①
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
typ.  
Advantages  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
250  
150  
4
mA  
mA  
mA  
①
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
space saving by reduced cooling  
①
VF  
IF = 12 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
2.1  
2.7  
V
V
①
①
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.67  
33.6  
V
mW  
①
RthJC  
RthCK  
RthJA  
1.6  
K/W  
K/W  
K/W  
0.5  
60  
60  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
50  
ns  
A
IRM  
VR = 540 V; IF = 12 A; -diF/dt = 100 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
6.5  
7.2  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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DSEI12-10A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYR29-800 WEEN

类似代替

 Ultrafast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package.
DSEI12-12A IXYS

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 Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
STTH1212D STMICROELECTRONICS

功能相似

 Ultrafast recovery - 1200 V diode

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DSEI1212 IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
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获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI12-12AZ IXYS

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 		暂无描述
DSEI12-12AZ LITTELFUSE

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