是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | HC-49/US, SMD, 2 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.60.00.80 |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | AT CUT |
老化: | 5 PPM/FIRST YEAR | 晶体/谐振器类型: | SERIES - FUNDAMENTAL |
驱动电平: | 1000 µW | 频率稳定性: | 0.005% |
频率容差: | 50 ppm | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
标称工作频率: | 9.999 MHz | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 物理尺寸: | L11.7XB5.0XH4.5 (mm)/L0.461XB0.197XH0.177 (inch) |
串联电阻: | 70 Ω | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI19-06 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI19-06AS | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI19-06AS | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI1X31-06C | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 | |
DSEI20 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI20-12A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode | |
DSEI20-12A | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 17A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220AC, 2 PIN | |
DSEI25-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI25-06AS | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X101 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |