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DSEI19-06AS

更新时间： 2024-11-19 22:22:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI19-06AS 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71Is Samacsys：N
应用：FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：TO-263AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：95 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：62 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：50 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEI19-06AS 数据手册

  
DSEI 19 VRRM = 600 V  
IFAVM = 20 A  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 35 ns  
TO-263 AA  
C
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
NC  
A
600  
600  
DSEI 19-06AS  
C (TAB)  
A =Anode, C = Cathode,  
NC = No connection, TAB = Cathode  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
International standard surface mount  
①
TVJ = TVJM  
25  
20  
150  
A
A
A
package JEDEC TO-263 AA  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
①
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 65°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
①
①
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
100  
110  
A
A
①
Low I -values  
Soft rReMcovery behaviour  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
①
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
85  
95  
A
A
Epoxy meets UL 94V-0  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
50  
50  
A2s  
A2s  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
36  
37  
A2s  
A2s  
TO-263 AA Outline  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Ptot  
TC = 25°C  
61  
2
W
g
Weight  
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
typ.  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
50  
25  
3
mA  
mA  
mA  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
VF  
IF = 16 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.5  
1.7  
V
V
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min. Max.  
Min.  
Max.  
A
A1  
4.06  
2.03  
4.83  
2.79  
.160  
.080  
.190  
.110  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.12  
23.2  
V
mW  
b
b2  
0.51  
1.14  
0.99  
1.40  
.020  
.045  
.039  
.055  
RthJC  
trr  
2
50  
K/W  
ns  
c
c2  
0.46  
1.14  
0.74  
1.40  
.018  
.045  
.029  
.055  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
35  
4
D
D1  
8.64  
7.11  
9.65  
8.13  
.340  
.280  
.380  
.320  
IRM  
VR = 350 V; IF = 12 A; -diF/dt = 100 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
4.4  
A
E
E1  
e
9.65  
6.86  
2.54  
10.29  
8.13  
BSC  
.380  
.270  
.100 BSC  
.405  
.320  
Characteristic curves are located in the data sheet DSEI 12-06  
L
14.61  
2.29  
1.02  
1.27  
0
15.88  
2.79  
1.40  
1.78  
0.38  
.575  
.090  
.040  
.050  
0
.625  
.110  
.055  
.070  
.015  
L1  
L2  
L3  
L4  
R
0.46  
0.74  
.018  
.029  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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与DSEI19-06AS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI1X31-06C LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4
DSEI20 IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI20-12A IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode
DSEI20-12A LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 17A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220AC, 2 PIN
DSEI25-06A LITTELFUSE

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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI25-06AS LITTELFUSE

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