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DSEI20

更新时间： 2024-11-17 22:22:07
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IXYS 二极管
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2页 56K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI20 数据手册

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DSEI 20 IFAVM = 17 A  
VRRM = 1200 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 40 ns  
TO-220 AC  
C
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
C
1200  
1200  
DSEI 20-12A  
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
①
International standard package  
Glass passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low losses at high  
switching frequencies  
Low IRM-values  
TVJ = TVJM  
70  
17  
220  
A
A
A
①
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 85°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
①
①
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
130  
140  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
①
①
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
110  
120  
A
A
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
85  
80  
A2s  
A2s  
Applications  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
60  
60  
A2s  
A2s  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Anti saturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
78  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
①
Mounting torque  
Weight  
①
①
①
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
typ.  
Advantages  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
750  
250  
7
mA  
mA  
mA  
①
High reliability circuit operation  
①
Low voltage peaks for reduced  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
VF  
IF = 12 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.87  
2.15  
V
V
①
①
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.65  
18.2  
V
mW  
①
space saving by reduced cooling  
RthJC  
RthJA  
1.6  
60  
K/W  
K/W  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
40  
7
60  
ns  
A
IRM  
VR = 540 V; IF = 20 A; -diF/dt = 100 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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与DSEI20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI20-12A IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode
DSEI20-12A LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 17A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220AC, 2 PIN
DSEI25-06A LITTELFUSE

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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI25-06AS LITTELFUSE

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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X101 IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X101-02A ETC

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 		ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B
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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 96A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-12
DSEI2X101-06P LITTELFUSE

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 		快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复

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