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DSEI120

更新时间： 2024-11-05 22:22:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
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2页 45K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI120 数据手册

 浏览型号DSEI120的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 120 IFAVM = 126 A  
VRRM = 600 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 35 ns  
TO-247 AD  
C
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
600  
600  
DSEI 120-06A  
C
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
TVJ = TVJM  
100  
126  
77  
A
A
A
A
ꢀ
International standard package  
JEDEC TO-247 AD  
IFAVM  
ꢀ
TC = 70°C; rectangular, d = 0.5  
TC = 110°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
IFAV ꢀꢀꢀꢀꢀ  
IFRM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
tbd  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
600  
660  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
540  
600  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1800  
1800  
A2s  
A2s  
Applications  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
1450  
1500  
A2s  
A2s  
ꢀ
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Anti saturation diode  
Snubber diode  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
ꢀ
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
ꢀ
ꢀ
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Ptot  
TC = 25°C  
357  
0.8...1.2  
6
W
Nm  
g
ꢀ
Md  
Mounting torque  
ꢀ
Weight  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
typ.  
Advantages  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
3
0.75  
20  
mA  
mA  
mA  
ꢀ
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
ꢀ
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
space saving by reduced cooling  
Dimensions  
VF  
IF = 70 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.12  
1.3  
V
V
ꢀ
ꢀ
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.85  
3.5  
V
mW  
ꢀ
RthJC  
RthCK  
RthJA  
0.35  
K/W  
K/W  
K/W  
0.25  
35  
50  
21  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
35  
17  
ns  
A
See DSEI 60-12 page D5 - 27  
IRM  
VR = 350 V; IF = 80 A; -diF/dt = 200 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
ꢀ Chip capability, ꢀ limited to 70 A by leads  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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与DSEI120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI1-20.000MHZ MMD

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI1-20.000MHZ-3 MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
DSEI1-20.000MHZ-T MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI120-06A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI120-06A LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI120-12A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI120-12A LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI120-12AZ IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-268AA,
DSEI120-12AZ LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI12-04A IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon,

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