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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 115K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, PD-CASE, SNUBBER DIODE |
| 应用： | FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.8 V |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 600 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 357 W |
| 参考标准： | IEC-60747 | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 最大反向电流： | 3000 µA | 最大反向恢复时间： | 0.06 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI12-04A | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| DSEI12-06A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI12-06AS | IXYS |
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暂无描述 |
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| DSEI12-06AS | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI12-08A | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| DSEI12-10A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-10A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI1212 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-12A | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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