DSEI120-12A

更新时间： 2024-10-31 21:54:51

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IXYS		二极管
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描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI120-12A 数据手册

DSEI 120 I_FAVM= 109 A

V_RRM= 1200 V

Fast Recovery

Epitaxial Diode (FRED)

t_rr

= 40 ns

TO-247 AD

V_RSM

V_RRM

Type

1200

DSEI 120-12A

A = Anode, C = Cathode

Symbol

I_FRMS

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

ꢀ

T_VJ= T_VJM

100

109

International standard package

JEDEC TO-247 AD

I_FAVM

ꢀ

T_C= 60°C; rectangular, d = 0.5

T_C= 95°C; rectangular, d = 0.5

t_P< 10 ms; rep. rating, pulse width limited by T_VJM

I_FAVꢀꢀꢀꢀꢀ

I_FRM

ꢀ

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

Soft recovery behaviour

Epoxy meets UL 94V-0

tbd

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

600

660

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

540

600

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1800

A²s

Applications

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

1450

1500

A²s

ꢀ

Antiparallel diode for high frequency

switching devices

Anti saturation diode

Snubber diode

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

ꢀ

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

ꢀ

Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Inductive heating and melting

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

P_tot

T_C= 25°C

357

0.8...1.2

ꢀ

M_d

Mounting torque

ꢀ

Weight

ꢀ

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

max.

typ.

Advantages

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C V_R= 0.8 • V_RRM

V_R= V_RRM

V_R= 0.8 • V_RRM

1.5

ꢀ

High reliability circuit operation

Low voltage peaks for reduced

ꢀ

protection circuits

Low noise switching

Low losses

Operating at lower temperature or

space saving by reduced cooling

Dimensions

V_F

I_F= 70 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.55

1.8

ꢀ

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

1.2

4.6

ꢀ

R_thJC

R_thCK

R_thJA

0.35

K/W

0.25

See DSEI 60-12 on page D5 - 27

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

I_RM

V_R= 350 V; I_F= 75 A; -di_F/dt = 200 A/ms

L £ 0.05 mH; T_VJ= 100°C

ꢀ Chip capability, ꢀ limited to 70 A by leads

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 2

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DSEI120-12A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DSEI30-12A	IXYS	功能相似	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEP60-12A	IXYS	功能相似	HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEI60-12A	IXYS	功能相似	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

与DSEI120-12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEI120-12AZ	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-268AA,
DSEI120-12AZ	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI12-04A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon,
DSEI12-06A	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI12-06A	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI12-06AS	IXYS	获取价格	暂无描述
DSEI12-06AS	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI12-08A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon,
DSEI12-10A	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI12-10A	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。

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