5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> DSEI12-06AS
DSEI12-06AS PDF预览

DSEI12-06AS

更新时间： 2024-09-27 13:07:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

DSEI12-06AS 数据手册

 浏览型号DSEI12-06AS的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 12 IFAVM = 14 A  
VRRM = 600 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 35 ns  
TO-220 AC  
C
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
C
640  
600  
DSEI 12-06A  
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
①
International standard package  
TVJ = TVJM  
25  
14  
150  
A
A
A
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 100°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
JEDEC TO-220 AC  
①
①
①
①
①
①
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
100  
110  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
85  
95  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
50  
50  
A2s  
A2s  
Applications  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
36  
37  
A2s  
A2s  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Anti saturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
62  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
①
Mounting torque  
Weight  
Symbol  
IR  
①
①
①
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
typ.  
Advantages  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
50  
25  
3
mA  
mA  
mA  
①
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
space saving by reduced cooling  
①
VF  
IF = 16 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.5  
1.7  
V
V
①
①
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.12  
23.2  
V
mW  
①
RthJC  
RthCK  
RthJA  
2
K/W  
K/W  
K/W  
0.5  
60  
50  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
35  
4
ns  
A
IRM  
VR = 350 V; IF = 12 A; -diF/dt = 100 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
4.4  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

中文翻译

下载PDF

与DSEI12-06AS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI12-08A IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon,
DSEI12-10A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI12-10A LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI1212 IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI12-12A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI12-12A LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI12-12AZ IXYS

获取价格

 		暂无描述
DSEI12-12AZ LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI1-8.000MHZ-3 MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
DSEI1-8.000MHZ-T MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN

与DSEI12-06AS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证