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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-PSFM-T2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI12-06A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-06A | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI12-06AS | IXYS |
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暂无描述 |
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| DSEI12-06AS | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI12-08A | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| DSEI12-10A | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-10A | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI1212 | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-12A | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI12-12A | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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