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DSEE8-06CC PDF预览

DSEE8-06CC

更新时间： 2024-11-21 21:06:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN

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DSEE8-06CC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：35Base Number Matches：1

DSEE8-06CC 数据手册

 浏览型号DSEE8-06CC的Datasheet PDF文件第2页 
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
DSEE8-06CC  
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode  
IFAV = 10 A  
VRRM = 600 V  
trr = 30 ns  
ISOPLUS220TM  
Electrically Isolated Back Surface  
V
RRMQ  
VRRM  
V
Type  
ISOPLUS2
V
1
600  
300  
DSEE8-06CC  
1
2
3
2
3
Isolated back surface *  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
* Patent pending  
IFRMS  
IFAVM  
IFRM  
20  
10  
10  
A
A
A
Features  
TC = 110°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
60  
A
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
Low cathode to tab capacitance (<15pF)  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 2 A; L = 180 µH  
0.5  
mJ  
l
l
l
l
l
l
l
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.2  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
Ptot  
TC = 25°C  
60  
W
VISOL  
FC  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
2500  
V~  
Mounting force  
typical  
11...65 / 2.4...11 N / lb  
Applications  
Weight  
3
g
l
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
l
Antisaturation diode  
Snubber diode  
l
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
l
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
typ.  
max.  
IR  
Q
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
60  
0.2  
µA  
mA  
l
l
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
VF R  
IF = 10 A;  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
1.3  
1.75  
V
V
l
l
RthJC  
RthCH  
2.5  
K/W  
K/W  
0.6  
30  
Advantages  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
l
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
l
IRM  
VR = 100 V; IF = 12 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
2
2.4  
A
Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
l
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
O
Notes: Data given for T = 25 C and per diode unless otherwise specified  
VJ  
Q Diodes connected in series  
R Pulse test: pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
S Pulse test: pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98758 (12/00)  
12

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与DSEE8-06CC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEE8-08CC IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
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 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI1-20.000MHZ MMD

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
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