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DSEI12

更新时间： 2024-11-20 22:22:07
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IXYS 二极管
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2页 80K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI12 数据手册

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DSEI 12 IFAVM = 14 A  
VRRM = 600 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 35 ns  
TO-220 AC  
C
A
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
C
640  
600  
DSEI 12-06A  
A = Anode, C = Cathode  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
①
International standard package  
TVJ = TVJM  
25  
14  
150  
A
A
A
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 100°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
JEDEC TO-220 AC  
①
①
①
①
①
①
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
100  
110  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
85  
95  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
50  
50  
A2s  
A2s  
Applications  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
36  
37  
A2s  
A2s  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Anti saturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
62  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
①
Mounting torque  
Weight  
Symbol  
IR  
①
①
①
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
typ.  
Advantages  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
50  
25  
3
mA  
mA  
mA  
①
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
space saving by reduced cooling  
①
VF  
IF = 16 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.5  
1.7  
V
V
①
①
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
1.12  
23.2  
V
mW  
①
RthJC  
RthCK  
RthJA  
2
K/W  
K/W  
K/W  
0.5  
60  
50  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
35  
4
ns  
A
IRM  
VR = 350 V; IF = 12 A; -diF/dt = 100 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
4.4  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEI-12 IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Dioder (FRED)
DSEI120 IXYS

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 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI1-20.000MHZ MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI1-20.000MHZ-3 MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
DSEI1-20.000MHZ-T MMD

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI120-06A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI120-06A LITTELFUSE

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 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI120-12A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI120-12A LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI120-12AZ IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-268AA,

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