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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUZ30ASMDG
BUZ30ASMDG PDF预览

BUZ30ASMDG

更新时间： 2024-11-12 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 211K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PG-TO263-3-1, 2 PIN

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BUZ30ASMDG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUZ30ASMDG 数据手册

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BUZ 30A  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
)
DS(on  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 30A  
200 V  
21 A  
0.13 Ω  
TO-220 AB  
C67078-S1303-A3  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
I
I
A
D
T = 26 °C  
C
21  
Pulsed drain current  
Dpuls  
AR  
T = 25 °C  
C
84  
21  
12  
Avalanche current,limited by T  
jmax  
Avalanche energy,periodic limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
jmax  
AR  
AS  
E
I = 21 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
L = 1.53 mH, T = 25 °C  
450  
j
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
125  
Operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... + 150 °C  
-55 ... + 150  
j
stg  
Thermal resistance, chip case  
R
≤ 1  
K/W  
thJC  
thJA  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
R
75  
E
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  
1234567...9

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