BUZ32H

更新时间： 2024-11-12 12:50:07

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SIPMOS Power Transistor

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BUZ32H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	9.5 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUZ32H 数据手册

BUZ 32 H

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

. Halogen-free according to IEC61249-2-21

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

PG-TO-220-3

Pb-free

DS(on)

BUZ 32 H

200 V

9.5 A

0.4

Ω

Yes

Values

9.5

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Unit

Continuous drain current

T = 29 ˚C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 ˚C

Avalanche current,limited by T

9.5

6.5

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

I = 9.5 A, V

= 50 V, R

= 25 Ω

L = 2 mH, T = 25 ˚C

120

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150

˚C

stg

Thermal resistance, chip case

≤

1.67

K/W

thJC

thJA

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Rev. 2.4

Page 1

2009-11-10

12 3 4 5 6 7...10

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