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BUZ334

更新时间： 2024-11-11 22:16:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ334 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：930 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-218AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUZ334 数据手册

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BUZ 334  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Avalanche-rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
G
D
S
Type  
V
DS  
I
R
)
DS(on  
Package  
Ordering Code  
D
BUZ 334  
600 V  
12 A  
0.5 Ω  
TO-218 AA  
C67078-S3130-A2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
I
I
A
D
T = 26 °C  
C
12  
Pulsed drain current  
Dpuls  
AR  
T = 25 °C  
C
48  
12  
18  
Avalanche current,limited by T  
jmax  
Avalanche energy,periodic limited by T  
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
jmax  
AR  
AS  
E
I = 12 A, V = 50 V, R = 25 Ω  
D
DD  
GS  
L = 11.8 mH, T = 25 °C  
930  
j
±
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
20  
V
GS  
W
tot  
T = 25 °C  
C
180  
Operating temperature  
Storage temperature  
T
T
-55 ... + 150 °C  
-55 ... + 150  
j
stg  
Thermal resistance, chip case  
R
≤ 0.7  
K/W  
thJC  
thJA  
Thermal resistance, chip to ambient  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
R
75  
E
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
07/96  
1234567...9

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