5秒后页面跳转
BUZ35 PDF预览

BUZ35

更新时间: 2024-01-15 13:08:44
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
main ratings

BUZ35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):9.9 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):78 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BUZ35 数据手册

 浏览型号BUZ35的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUZ35的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUZ35的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BUZ35的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BUZ35的Datasheet PDF文件第6页 

与BUZ35相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUZ350 INFINEON

获取价格

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ351 INFINEON

获取价格

main ratings
BUZ351 INTERSIL

获取价格

11.5A, 400V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
BUZ353 INFINEON

获取价格

main ratings
BUZ354 INFINEON

获取价格

main ratings
BUZ355 INFINEON

获取价格

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ355 ROCHESTER

获取价格

6A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
BUZ355 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-218
BUZ355C67078-S3107A2 INFINEON

获取价格

TRANSISTOR MOSFET TO 247
BUZ356 INFINEON

获取价格

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)