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BUZ358

更新时间： 2024-09-25 22:08:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	72K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ358 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

BUZ358 数据手册

BUZ 358

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 358

1000 V

4.5 A

2.6 Ω

TO-218 AA

C67078-S3111-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

4.5

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

5.1

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

I = 5.1 A, V = 50 V, R = 25 Ω

L = 62 mH, T = 25 °C

850

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

125

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

Thermal resistance, chip case

≤ 1

K/W

thJC

thJA

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

01/97

12 3 4 5 6 7 8

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