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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ353 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ354 | INFINEON |
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main ratings |
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| BUZ355 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ355 | ROCHESTER |
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6A, 800V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
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| BUZ355 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-218 |
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| BUZ355C67078-S3107A2 | INFINEON |
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TRANSISTOR MOSFET TO 247 |
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| BUZ356 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ357 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ358 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ36 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB |
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