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BUZ41A

更新时间： 2024-11-26 04:09:51

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哈里斯 - HARRIS		晶体晶体管开关脉冲高压局域网
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5页	45K
描述
4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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BUZ41A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	70 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	75 W	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	205 ns	最大开启时间（吨）：	105 ns
Base Number Matches：	1

BUZ41A 数据手册

BUZ41A

Semiconductor

Data Sheet

October 1998

File Number 2256.1

4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power

MOSFET

Features

• 4.5A, 500V

• r = 1.500Ω

[ /Title

(BUZ41

/Sub-

ject

This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power

ﬁeld effect transistor designed for applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

This type can be operated directly from integrated circuits.

DS(ON)

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

(4.5A,

500V,

1.500

Ohm,

N-Chan-

nel

Power

MOS-

FET)

Formerly developmental type TA17415.

• Majority Carrier Device

Ordering Information

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

BUZ41A

TO-220AB

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

/Author

()

/Key-

words

(Harris

Semi-

conduc-

tor, N-

Chan-

nel

Packaging

JEDEC TO-220AB

SOURCE

DRAIN

GATE

Power

MOS-

FET,

DRAIN (FLANGE)

TO-

220AB)

/Cre-

ator ()

/DOCIN

FO pdf-

mark

[ /Page-

Mode

/Use-

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

12 3 4 5

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BUZ41A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF830	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
STP6NB50	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

与BUZ41A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUZ41AC67078-A1306A3	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL
BUZ41A-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ41A-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ41A-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BUZ42	INTERSIL	获取价格	4A, 500V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
BUZ42	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
BUZ42-E3044	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
BUZ42-E3045	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
BUZ42-E3046	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
BUZ44A	INFINEON	获取价格	main ratings

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