BUZ357

更新时间： 2024-01-10 01:45:48

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描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

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BUZ357 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUZ357 数据手册

BUZ 357

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche-rated

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 357

1000 V

5.1 A

2 Ω

TO-218 AA

C67078-S3110-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

5.1

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

5.1

Avalanche current,limited by T

jmax

Avalanche energy,periodic limited by T

Avalanche energy, single pulse

jmax

I = 5.1 A, V = 50 V, R = 25 Ω

L = 62 mH, T = 25 °C

850

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

125

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... + 150 °C

-55 ... + 150

stg

Thermal resistance, chip case

≤ 1

K/W

thJC

thJA

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

01/97

12 3 4 5 6 7 8

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