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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 220 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ42-E3044 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ42-E3045 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ42-E3046 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| BUZ44A | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
|
| BUZ45 | INTERSIL |
获取价格 |
9.6A, 500V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| BUZ45 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 9.6A |
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| BUZ45A | INTERSIL |
获取价格 |
8.3A, 500V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| BUZ45B | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 500V, 0.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| BUZ46 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.2A I(D) | TO-3 |
|
| BUZ47 | INFINEON |
获取价格 |
main ratings |
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