BUZ50C

更新时间： 2024-11-28 22:39:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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9页	207K
描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

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BUZ50C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.3 A	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUZ50C 数据手册

BUZ 50 C

SIPMOS Power Transistor

• N channel

• Enhancement mode

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

)

DS(on

Package

Ordering Code

BUZ 50 C

1000 V

2.3 A

6 Ω

TO-220 AB

C67078-A1307-A5

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

1000

DGR

Ω

= 20 k

1000

2.3

Continuous drain current

T = 25 °C

Pulsed drain current

Dpuls

T = 25 °C

Gate source voltage

Power dissipation

± 20

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... ...+ 150 °C

-55 ... ...+ 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

1.6

K/W

thJC

Thermal resistance, chip to ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

thJA

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

07/96

12 3 4 5 6 7...9

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